卢湾区周边二手芯片回收哪里不错
发布时间:
2023-03-29 18:55
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向导电性就会变差;使用二管时,实际电流小于大整流电流,发光二管需根据此参数,设计限流电阻;设计信号隔离电路时,要考虑正向导通压降对信号电平的影响;反向电流越小,二管单向导电性能越好,值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系,大约温度每升高10℃,反向电流增大一倍。在漏电要求严格的场合,如RTC电路,需要考虑该参数;选择二管时考虑大工作频率,超出此值,二管的单向导电性将受到影响。设计电路时要注意PN结的正向压降:锗管约为0.3V,硅管约
BUDS—漏源击穿电压。是指栅源电压UGS一定时,场效应管正常工作所能承受的大漏源电压。这是一项限参数,加在场效应管上的工作电压小于BUDS。PDSM—大耗散功率。也是一项限参数,是指场效应管性能不变坏时所允许的大漏源耗散功率。使用时,场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。IDSM—大漏源电流。是一项限参数,是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的大电流。场效应管的工作电流不应超过IDSM。
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