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对于容量大于5100pF的电容器，用万用表电阻挡（小电容用R×10k挡，超过1μF的用R×1k挡）测电容的两引线，万用表指针会先向右摆动，然后再慢慢回到左端（充电现象），说明电容管用；如果向右摆后不回来，或回不到左端，说明电容漏电；如果指针不摆动，说明已断路。一个质量好的电容器，用相同的电阻挡位，容量越大，摆动幅度越大。测电解电容时，要注意性，正确测量方法是:用指针式万用表R×1k或R×10k挡，让黑表笔接（表内电池正）电容“+”，红表笔接电容负，表针向右摆动后，然后慢慢回摆，直至回到左端。（电容越大，回摆时间越长，可长至几分钟），再测时，应将电容放电后再测。
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为适用各种不同的用途，电位器电阻的变化规律也不相同。常用的电位器阻值变化规律有三种:直线式（A）、对数式（B）、反转对数式（C）。（旧规定，三种变化规定符号分别为X、D、Z），如图3.10。除此外还有按其它函数变化的。对于直线式电位器，其阻值变化与转角成直线关系，即电阻体上导电物资的分布是均匀的，所以单位长度上的阻值变化是相同的。而对数式电位器的电阻体导电物质分布是不均匀的，在开始转动时，电阻体单位长度的阻值变化较小，而在转角接近大转角端时，阻值变化比较大。
光敏电阻MG光敏电阻是利用半导体光敏效应制成的一种元件，电阻值随入射光线的强弱而变化，光线越强，电阻越小。无光照射时，呈现高阻抗阻值可达1.5MΩ以上；有光照射时，材料激发出自由电子和空穴，其电阻值减小，随着光强度的增加阻值可小至1kΩ以下。光敏电阻是将对光敏感的材料涂在玻璃上，引出电制成的。根据材料不同，可制成对某一光源敏感的光敏电阻。如:可见光敏电阻，主要材料硫化镉，应用于光电控制。