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对于容量大于5100pF的电容器，用万用表电阻挡（小电容用R×10k挡，超过1μF的用R×1k挡）测电容的两引线，万用表指针会先向右摆动，然后再慢慢回到左端（充电现象），说明电容管用；如果向右摆后不回来，或回不到左端，说明电容漏电；如果指针不摆动，说明已断路。一个质量好的电容器，用相同的电阻挡位，容量越大，摆动幅度越大。测电解电容时，要注意性，正确测量方法是:用指针式万用表R×1k或R×10k挡，让黑表笔接（表内电池正）电容“+”，红表笔接电容负，表针向右摆动后，然后慢慢回摆，直至回到左端。（电容越大，回摆时间越长，可长至几分钟），再测时，应将电容放电后再测。
合成膜电阻（RH）用有机粘合剂将碳粉、石墨和填充料配成悬浮液，涂覆在缘管架上经高温聚合而成。阻值范围宽，10Ω～106MΩ，功率大，0.25～5W。耐压可达35kV，抗湿性差，噪声大，稳定性差。常用于高压、高阻。线绕电阻（RX）在瓷管上用合金丝（康铜、锰铜或镍铬合金）绕制而成。为防潮和避免线圈松动，其外层用被釉（玻璃釉、法郎或漆）涂覆加以保护。阻值大、功率大。0.1Ω～5MΩ，功率大0.125～500W。噪声低、线性好、温度系数小，性能稳定。精度高，可达0.01％～0.005％，工作温度可达315℃。常用于大功率、高精度、高温场合。
一般来讲打磨片主要是片时间放得太长了或是批号比较杂，为了好卖而打磨后印成统一的比较新的生产批号。有一些打磨的按原型号的这种还算比较好的，但属于伪劣产品。还有一些是商业级变工业级，工业级变军级，军级变883级，低速率变高速率，低频率变高频率等等。原厂产品自行封装这个应该是比较高端的了，遇到这种芯片只有靠经验，但也不是的封装国内做，不是经验老到，真不是很好分辨了。散新片这些芯片概况印刷笔墨和图案的粗细，字体，深浅有不同，出产批号一般不雷同，后背的产地标识比力杂，但管脚没有使用过的陈迹，却是有氧化的陈迹，一般来说这类芯片是商业商把从各类路子采集起来的没有使用过的芯片装在一个管子里卖。
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