黄浦区长期IC芯片回收公司电话
精密型:功率小于2W，阻值在0.01Ω～20MΩ，偏差在2%～0.001%。功率型:功率在2～200W，阻值0.15～1MΩ，精度±5～20%，多为线绕电阻，不宜在高频电路中使用。高压型:适用于高压装置中，工作在1000V～100KV，高的可达35GV，功率在0.5～100W之间，阻值可达1000MΩ。高阻型:阻值在10MΩ以上，高可达10^14Ω。高频型（无感型）:电阻自身电感量小，又叫无感电阻，阻值小于1kΩ，功率可达100W，可用于频率在10MHz以上电路。
我们把有功损耗与无功损耗之比叫损耗因数，tgδ即:tgδ越小，电容质量越好，一般为10－2~10－4数量级。电容的容量会随温度的变化而变化，一般常用αC表示电容器的随温度变化的特性:C1为t1时的电容量（室温20±5℃），C2为t2时（限温度）的电容量，αC越小越好，电容越稳定，由于αC很小，常用PPm/℃表示（百万分之一）。1/℃=10^6PPm/℃云母及瓷介电容稳定性好，温度系数为10^－4/℃=10^2PPm/℃。铝电解稳定性差。差的αC为10^－2/℃，即10^4PPm/℃。多数电容的αC为正，瓷介电容αC为负。几种常用电容器以纸作介质，金属箔作为板，成本低，体积大，损耗（tgδ）大，只适用于低频电路。以纸作介质，在纸上蒸发一层金属薄膜为电板，体积小。有机薄膜:涤纶CL、聚碳酸脂CS、聚丙稀CBB，等。
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电解电容由于采用电解质（液）和金属板作为电容的负、正，以金属氧化膜作介质（厚度只有几纳米~几十纳米），漏电流较大。一般铝电解电容漏电流可达mA数量级（与容量、耐压成正比），而其它电容器漏电流小，常用缘电阻表示缘性能，一般电容器缘电阻都在数百MΩ到数GΩ数量级。损耗因数（损耗角正切tgδ）一个理想的电容器，不应该消耗电能，但实际电容器由于存在漏电流，将使电容器消耗一定的能量。一个存在漏电流的电容器，可以认为是一个理想的电容器并联一个等效电阻，当电容器工作时，一部分电流通过R变成有害的热能，这即是电容器的损耗，即有功损耗P。而储存于C中的电能，并未消耗掉叫无功损耗Pq。