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光敏电阻MG光敏电阻是利用半导体光敏效应制成的一种元件,电阻值随入射光线的强弱而变化,光线越强,电阻越小。无光照射时,呈现高阻抗阻值可达1.5MΩ以上;有光照射时,材料激发出自由电子和空穴,其电阻值减小,随着光强度的增加阻值可小至1kΩ以下。光敏电阻是将对光敏感的材料涂在玻璃上,引出电制成的。根据材料不同,可制成对某一光源敏感的光敏电阻。如:可见光敏电阻,主要材料硫化镉,应用于光电控制。
按输入、输入关系可分为“缓变型”和“突变型”两种。根据性质可分为:热敏电阻可分为:MF:负温度系数;MZ:正温度系数。是一种电阻值随温度变化的电阻,通常由单晶或多晶等半导体材料制成。是以钛酸钡为主要原料,辅以微量的锶、钛、铝等化合物加工制成的,可分为阻值随温度升高而减小的负温度系数热敏电阻和阻值随温度升高而升高的正温度系数热敏电阻,有缓变型,也有突变型。主要用于温度测量,温度控制(电磁灶控温),火灾报警,气象探空,微波和激光功率测量,在收音机中作温度补偿,在电视机中作消磁限流电阻。
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H单位较大,实用中常用mH、μH。1H=10^3mH=10^6μH。另外,当1个线圈中的电流变化时,它所产生的通过邻近线圈回路的磁通量也发生变化,从而在邻近线圈中产生感应电动势,这种现象叫互感应现象。互感应的大小常用互感系数来表示,在两个有磁交链的线圈中,互感磁通量与产生此磁链的电流的比值,即为互感系数,简称互感,用M表示:ψ12:线圈L1通电流时,在L2中穿过的磁通量,单位韦伯(Wb);ψ21:线圈L2通电流时,在L1中穿过的磁通量,单位韦伯(Wb);I1、、I2:分别为流过L1、、L2的电流。