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红外光敏电阻，主要材料硫化铅，应用于导弹、卫星监测。压敏电阻MY压敏电阻是以氧化锌为主要材料制成的半导体陶瓷元件，电阻值随加在两端电压的变化按非线性特性变化。当加到两端电压不超过某一特定值时，呈高阻抗，流过压敏电阻的电流很小，相当于开路。当电压超过某一值时，其电阻急骤减小，流过电阻的电流急剧增大。压敏电阻在电子和电气线路中得到较多的应用，主要用于过压保护和用来作为稳压元件。磁敏电阻MC磁敏电阻器是采用砷化铟或锑化铟等材料，根据半导体的磁阻效应制成的，阻值随穿过它的磁通量增大而增大。是一种对磁场敏感的半导体元件，可以将磁感应信号转变为电信号。主要用于测磁场强度、磁卡文字识别、磁电编码、交直流变换。电阻随外加应力的变化而变大。是一种能将力转变为电信号的元件。常用于张力计，加速度计，半导体话筒等传感器中。采用二氧化锡等半导体材料制成。利用半导体表面吸收某种气体后，发生氧化或还原反应，电阻随被测气体的浓度而变化。常用于气体探测器。
我们把有功损耗与无功损耗之比叫损耗因数，tgδ即:tgδ越小，电容质量越好，一般为10－2~10－4数量级。电容的容量会随温度的变化而变化，一般常用αC表示电容器的随温度变化的特性:C1为t1时的电容量（室温20±5℃），C2为t2时（限温度）的电容量，αC越小越好，电容越稳定，由于αC很小，常用PPm/℃表示（百万分之一）。1/℃=10^6PPm/℃云母及瓷介电容稳定性好，温度系数为10^－4/℃=10^2PPm/℃。铝电解稳定性差。差的αC为10^－2/℃，即10^4PPm/℃。多数电容的αC为正，瓷介电容αC为负。几种常用电容器以纸作介质，金属箔作为板，成本低，体积大，损耗（tgδ）大，只适用于低频电路。以纸作介质，在纸上蒸发一层金属薄膜为电板，体积小。有机薄膜:涤纶CL、聚碳酸脂CS、聚丙稀CBB，等。
一般金属电阻线性很好，非金属型电阻线性度差。噪声是产生于电阻中的一种不规则电压起伏，它包括热噪声和电流噪声两种。电阻都有热噪声，它是由电子在导体中无规则运动而造成的，与导体的材料、形状无关，主要由温度引起，降低电阻工作温度，可以减少热噪声。电流噪声是由导电微粒与非导电微粒之间的碰撞引起的，与电阻材料的微观结构有关。合金型无电流噪声，薄膜型较小，合成型大。电阻两端电压增加到一定数值时，会发生穿现象，使电阻损坏，这个电压叫做电阻的限电压，根据电阻的额定功率，可计算出电阻的额定电压:在额定电压上如再增加，有可能被击穿，它无法通过简单公式计算，它取决于电阻的外形尺寸及工艺结构。一般常用电阻器功率与限电压如下:在高压下，好选用高压型电阻。电阻器在交流高频下使用时，电阻器自身的分布电感和电容不容忽略，应尽量选择分布电感，电容小的电阻器，或使用无引脚电阻，一般膜式电阻分布电感，电容较小，线绕式较大。
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