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制程的单位是纳米（以前曾用过微米），该数字大小是指IC内电路与电路之间的距离。提高处理器的制造工艺具有重大的意义，因为更的制造工艺会在CPU内部集成更多的晶体管，使处理器实现更多的功能和更高的性能；更的制造工艺会使处理器的核心面积进一步减小，也就是说在相同面积的晶圆上可以制造出更多的CPU产品，直接降低了CPU的产品成本，从而会降低CPU的销售价格使广大消费者得利；更的制造工艺还会减少处理器的功耗，从而减少其发热量，解决处理器性能提升的障碍。
ECC通过数据位多一些位数，对数据进行校验，所以内存颗粒一般会多一颗。ECC可发现2bit错误，并纠正1bit错误，性更高。一般情况下服务器内存都具有ECC功能，只有较低端的服务器采用普通台内存时不具有此功能；服务器内存的其他典型技术:Chipkill技术Chipkill技术是IBM公司为了解决服务器内存中ECC技术的不足而开发的，是一种新的ECC内存保护标准。我们知道ECC内存只能同时检测和纠正单一比特错误，但如果同时检测出两个以上比特的数据有错误，则无能为力。ECC技术之所以在服务器内存中广泛采用，一则是因为在这以前其它新的内存技术还不成熟，再则在服务器中系统速度还是很高，在这种频率上一般来说同时出现多比特错误的现象很少发生，因为这样才使得ECC技术得到了充分地和应用，使得ECC内存技术成为几乎服务器上的内存标准。
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Intel现在的处理器开发模式是“Tick-Tock”，也是每两年更新一次微架构(Tock)，中间交替升级生产工艺(Tick)。Nehalem是采用45nm工艺的新架构，而2009年的Westmere将升级到32nm，2010年的SandyBridge又是新架构。显示，Intel将在2012年4月推出“IVYBridge”，也就是SandyBridge的22nm工艺升级版；2013年再推出“Haswell”，基于22nm工艺的又一个新架构。现在已经可以基本确定Intel22nm之后的下一站将停留在15nm，已经有很多据明了这一点，据说台积电也是如此，不过也有说法提到了16nm、14nm等不同节点，而且IBM/AMD的规划就是16nm。再往后应该就是11nm，不过Intel也曾在不同场合提及过10nm，看来遥远的未来仍然充满了未知数。代号方面之前有人说2013年的22nmHaswell后边是应该是Rockwell，按惯例架构不变、工艺升级，不过SemiAccurate网站今天曝料称，其实真正迈入后20nm时代的将是“Broadwell”，再往后工艺不变、架构革新的将是“SkyLe”(另一说SkyLe)，届时甚至可能会集成源于Larrabee项目的图形核心，当然前提是Intel能够真正找到充分发挥x86架构图形效率的门路。还要往后？那我们再说一个名字“Skymont”。可以预料，到时候又会升级工艺了，按照现在的初步规划将会是11nm，但怎么着也得是2016年的事情了。