闸北区电子电器回收附近厂家
在软件方面，华为固态硬盘HSSD盘拥有业界领先的动静态磨损均衡算法和坏块管理策略，GC算法等优化的SSD管理调度算法，NANDFlash的内部处理有效的提高了SSD盘的使用寿命；在硬件方面，实现ECC检错、纠错算法，数据完整性及一致性。软硬件结合，了系统的性。假设SSD上承载的主机业务是数据库类型的业务，且7×24小时无休，IOPS持续在5K左右，平均IO大小为8KB，读写比例为40%:60%。这样的主机业务，每天写入的数据量约为:5K×60%×8KB×60×60×24≈2TB。将上述计算结果使用寿命计算公式，并让写放大系数取值为全随机业务时的2.5，可以得到不同类型和容量的HSSD的使用寿命:
Intel现在的处理器开发模式是“Tick-Tock”，也是每两年更新一次微架构(Tock)，中间交替升级生产工艺(Tick)。Nehalem是采用45nm工艺的新架构，而2009年的Westmere将升级到32nm，2010年的SandyBridge又是新架构。显示，Intel将在2012年4月推出“IVYBridge”，也就是SandyBridge的22nm工艺升级版；2013年再推出“Haswell”，基于22nm工艺的又一个新架构。现在已经可以基本确定Intel22nm之后的下一站将停留在15nm，已经有很多据明了这一点，据说台积电也是如此，不过也有说法提到了16nm、14nm等不同节点，而且IBM/AMD的规划就是16nm。再往后应该就是11nm，不过Intel也曾在不同场合提及过10nm，看来遥远的未来仍然充满了未知数。代号方面之前有人说2013年的22nmHaswell后边是应该是Rockwell，按惯例架构不变、工艺升级，不过SemiAccurate网站今天曝料称，其实真正迈入后20nm时代的将是“Broadwell”，再往后工艺不变、架构革新的将是“SkyLe”(另一说SkyLe)，届时甚至可能会集成源于Larrabee项目的图形核心，当然前提是Intel能够真正找到充分发挥x86架构图形效率的门路。还要往后？那我们再说一个名字“Skymont”。可以预料，到时候又会升级工艺了，按照现在的初步规划将会是11nm，但怎么着也得是2016年的事情了。
四级缓存在消费级市场中出现是近才有的。Intel的Crystallwell架构CPU采用了四级缓存，其本质实际上是eDRAM，给CPU中整合的的核显GT3e使用，当作临时显存。从相关评测中可以看出，这个四级缓存对于核显的性能提升比较显著，但是对于CPU原本的计算则没有影响。未来四级缓存的发展，还需要对市场的进一步观察。CPU-Z的右下角可以查看CPU的缓存大小，查看四级缓存则需要切换到第二个选项卡“缓存（Caches）”
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