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我们把有功损耗与无功损耗之比叫损耗因数，tgδ即:tgδ越小，电容质量越好，一般为10－2~10－4数量级。电容的容量会随温度的变化而变化，一般常用αC表示电容器的随温度变化的特性:C1为t1时的电容量（室温20±5℃），C2为t2时（限温度）的电容量，αC越小越好，电容越稳定，由于αC很小，常用PPm/℃表示（百万分之一）。1/℃=10^6PPm/℃云母及瓷介电容稳定性好，温度系数为10^－4/℃=10^2PPm/℃。铝电解稳定性差。差的αC为10^－2/℃，即10^4PPm/℃。多数电容的αC为正，瓷介电容αC为负。几种常用电容器以纸作介质，金属箔作为板，成本低，体积大，损耗（tgδ）大，只适用于低频电路。以纸作介质，在纸上蒸发一层金属薄膜为电板，体积小。有机薄膜:涤纶CL、聚碳酸脂CS、聚丙稀CBB，等。
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H单位较大，实用中常用mH、μH。1H=10^3mH=10^6μH。另外，当1个线圈中的电流变化时，它所产生的通过邻近线圈回路的磁通量也发生变化，从而在邻近线圈中产生感应电动势，这种现象叫互感应现象。互感应的大小常用互感系数来表示，在两个有磁交链的线圈中，互感磁通量与产生此磁链的电流的比值，即为互感系数，简称互感，用M表示:ψ12:线圈L1通电流时，在L2中穿过的磁通量，单位韦伯（Wb）；ψ21:线圈L2通电流时，在L1中穿过的磁通量，单位韦伯（Wb）；I1、、I2:分别为流过L1、、L2的电流。
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