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长期现金IC，LCD，二三管，电解电容，光电IC，接收管，晶振，等电子元器件日本生产的3SK系列产品，S与管壳接通，据此很容易确定S。将G悬空，黑表笔接D，红表笔接S，然后用手指触摸G，表针应有较大的偏转。双栅MOS场效应管有两个栅GG2。为区分之，可用手分别触摸GG2，其中表针向左侧偏转幅度较大的为G2。目前有的MOSFET管在G-S间增加了保护二管，平时就不需要把各管脚短路了。对于其它相关认识，只要大家能认识就行了。集成电路:集成电路是一种采用，将晶体管、电阻、电容等元件集成在硅基片上而形成的具有一定功能的器件，英文为缩写为IC，也俗称芯片。
我们把有功损耗与无功损耗之比叫损耗因数，tgδ即:tgδ越小，电容质量越好，一般为10－2~10－4数量级。电容的容量会随温度的变化而变化，一般常用αC表示电容器的随温度变化的特性:C1为t1时的电容量（室温20±5℃），C2为t2时（限温度）的电容量，αC越小越好，电容越稳定，由于αC很小，常用PPm/℃表示（百万分之一）。1/℃=10^6PPm/℃云母及瓷介电容稳定性好，温度系数为10^－4/℃=10^2PPm/℃。铝电解稳定性差。差的αC为10^－2/℃，即10^4PPm/℃。多数电容的αC为正，瓷介电容αC为负。几种常用电容器以纸作介质，金属箔作为板，成本低，体积大，损耗（tgδ）大，只适用于低频电路。以纸作介质，在纸上蒸发一层金属薄膜为电板，体积小。有机薄膜:涤纶CL、聚碳酸脂CS、聚丙稀CBB，等。
超量生产和不合规格、有缺陷的元器件从内部看是相同的，因为它们可能是由同一个工厂使用相同的工艺和材料制造的。但它们的外观可能与原始元器件有少许不同过期的元器件是作为新元器件出售的旧元器件。它们可能由OCM制造，但其跟踪信息和标签是伪造的。元器件的“保质期”通常在生产后18-36个月。此后，其焊接引线可能会产生氧化层，并且由于引线合金中的金属间化合物反应，其金属结构可能会改变单从内部看，过期元器件可能与新元器件几乎相同。但仔细观察过期元器件外部的引脚或许就可以发现两者的不同。
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