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Intel现在的处理器开发模式是“Tick-Tock”，也是每两年更新一次微架构(Tock)，中间交替升级生产工艺(Tick)。Nehalem是采用45nm工艺的新架构，而2009年的Westmere将升级到32nm，2010年的SandyBridge又是新架构。显示，Intel将在2012年4月推出“IVYBridge”，也就是SandyBridge的22nm工艺升级版；2013年再推出“Haswell”，基于22nm工艺的又一个新架构。现在已经可以基本确定Intel22nm之后的下一站将停留在15nm，已经有很多据明了这一点，据说台积电也是如此，不过也有说法提到了16nm、14nm等不同节点，而且IBM/AMD的规划就是16nm。再往后应该就是11nm，不过Intel也曾在不同场合提及过10nm，看来遥远的未来仍然充满了未知数。代号方面之前有人说2013年的22nmHaswell后边是应该是Rockwell，按惯例架构不变、工艺升级，不过SemiAccurate网站今天曝料称，其实真正迈入后20nm时代的将是“Broadwell”，再往后工艺不变、架构革新的将是“SkyLe”(另一说SkyLe)，届时甚至可能会集成源于Larrabee项目的图形核心，当然前提是Intel能够真正找到充分发挥x86架构图形效率的门路。还要往后？那我们再说一个名字“Skymont”。可以预料，到时候又会升级工艺了，按照现在的初步规划将会是11nm，但怎么着也得是2016年的事情了。
一级缓存（L1Cache）位于CPU内核的旁边，是与CPU结合为紧密的CPU缓存，也是历史上早出现的CPU缓存。由于一级缓存的技术难度和制造成本高，提高容量所带来的技术难度增加和成本增加大，所带来的性能提升却不明显，性价比很低，而且现有的一级缓存的命中率已经很高，所以一级缓存是缓存中容量小的，比二级缓存要小得多。一般来说，一级缓存可以分为一级数据缓存（DataCache，D-Cache）和一级指令缓存（InstructionCache，I-Cache）。二者分别用来存放数据以及对执行这些数据的指令进行即时解码。大多数CPU的一级数据缓存和一级指令缓存具有相同的容量，例如AMD的AthlonXP就具有64KB的一级数据缓存和64KB的一级指令缓存，其一级缓存就以64KB64KB来表示，其余的CPU的一级缓存表示方法以此类推。
TDP散热设计功耗（TDP，ThermalDesignPower）是指正式版CPU在满负荷(CPU利用率为100%的理论上)可能会达到的高散热热量，散热器在处理器TDP大的时候，处理器的温度仍然在设计范围之内。但要注意，由于CPU的核心电压与核心电流时刻都处于变化之中，这样CPU的实际功耗（其值:功率W=电流A×电压V）也会不断变化，因此TDP值并不等同于CPU的实际功耗，更没有算术关系。因此，TDP只是一个参考值，用来表征该CPU发热的高低。
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