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光敏电阻MG光敏电阻是利用半导体光敏效应制成的一种元件，电阻值随入射光线的强弱而变化，光线越强，电阻越小。无光照射时，呈现高阻抗阻值可达1.5MΩ以上；有光照射时，材料激发出自由电子和空穴，其电阻值减小，随着光强度的增加阻值可小至1kΩ以下。光敏电阻是将对光敏感的材料涂在玻璃上，引出电制成的。根据材料不同，可制成对某一光源敏感的光敏电阻。如:可见光敏电阻，主要材料硫化镉，应用于光电控制。
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红外光敏电阻，主要材料硫化铅，应用于导弹、卫星监测。压敏电阻MY压敏电阻是以氧化锌为主要材料制成的半导体陶瓷元件，电阻值随加在两端电压的变化按非线性特性变化。当加到两端电压不超过某一特定值时，呈高阻抗，流过压敏电阻的电流很小，相当于开路。当电压超过某一值时，其电阻急骤减小，流过电阻的电流急剧增大。压敏电阻在电子和电气线路中得到较多的应用，主要用于过压保护和用来作为稳压元件。磁敏电阻MC磁敏电阻器是采用砷化铟或锑化铟等材料，根据半导体的磁阻效应制成的，阻值随穿过它的磁通量增大而增大。是一种对磁场敏感的半导体元件，可以将磁感应信号转变为电信号。主要用于测磁场强度、磁卡文字识别、磁电编码、交直流变换。电阻随外加应力的变化而变大。是一种能将力转变为电信号的元件。常用于张力计，加速度计，半导体话筒等传感器中。采用二氧化锡等半导体材料制成。利用半导体表面吸收某种气体后，发生氧化或还原反应，电阻随被测气体的浓度而变化。常用于气体探测器。