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红外光敏电阻，主要材料硫化铅，应用于导弹、卫星监测。压敏电阻MY压敏电阻是以氧化锌为主要材料制成的半导体陶瓷元件，电阻值随加在两端电压的变化按非线性特性变化。当加到两端电压不超过某一特定值时，呈高阻抗，流过压敏电阻的电流很小，相当于开路。当电压超过某一值时，其电阻急骤减小，流过电阻的电流急剧增大。压敏电阻在电子和电气线路中得到较多的应用，主要用于过压保护和用来作为稳压元件。磁敏电阻MC磁敏电阻器是采用砷化铟或锑化铟等材料，根据半导体的磁阻效应制成的，阻值随穿过它的磁通量增大而增大。是一种对磁场敏感的半导体元件，可以将磁感应信号转变为电信号。主要用于测磁场强度、磁卡文字识别、磁电编码、交直流变换。电阻随外加应力的变化而变大。是一种能将力转变为电信号的元件。常用于张力计，加速度计，半导体话筒等传感器中。采用二氧化锡等半导体材料制成。利用半导体表面吸收某种气体后，发生氧化或还原反应，电阻随被测气体的浓度而变化。常用于气体探测器。
我们把有功损耗与无功损耗之比叫损耗因数，tgδ即:tgδ越小，电容质量越好，一般为10－2~10－4数量级。电容的容量会随温度的变化而变化，一般常用αC表示电容器的随温度变化的特性:C1为t1时的电容量（室温20±5℃），C2为t2时（限温度）的电容量，αC越小越好，电容越稳定，由于αC很小，常用PPm/℃表示（百万分之一）。1/℃=10^6PPm/℃云母及瓷介电容稳定性好，温度系数为10^－4/℃=10^2PPm/℃。铝电解稳定性差。差的αC为10^－2/℃，即10^4PPm/℃。多数电容的αC为正，瓷介电容αC为负。几种常用电容器以纸作介质，金属箔作为板，成本低，体积大，损耗（tgδ）大，只适用于低频电路。以纸作介质，在纸上蒸发一层金属薄膜为电板，体积小。有机薄膜:涤纶CL、聚碳酸脂CS、聚丙稀CBB，等。
低频耦合、旁路，可用纸介电解。音频耦合，选用陶瓷、云母。电源滤波、退耦选电解。精度:震荡电路，延时控制电路，选±5%以下，不得超过±10%，一般选云母、瓷管电容，精度越高，价越贵。耐压:电容器的额定电压应高于工作电压30—50%。按体积:在空间允许下，可优先选用体积大的电容，同类型的、同容量的、体积越小，价越贵。使用前应用电容表测容量与标称值是否相符。无条件时，用万用表测充放电能力。
废料:废电子料、PC锡渣、线材、废旧金属、塑胶等库存库存求:长期行业类别:电子元器件场效应管 等一切电子库存料。电子元件:IC、二三极管、电容、电阻、电感、电位器、保险丝、连接器、晶振、滤波器、变压器、功率模块、 继电器等。